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六氟乙烷
代号PFC-116，分子式：C2F6，高纯六氟乙烷因其无毒无臭、高稳定性而被广泛应用在半导体制造过程中，例如作为干刻蚀剂（Dry Etch）、化学气相沉积（CVD, Chemical Vapor Deposition）、后腔体的清洗剂。六氟乙烷作为干法刻蚀剂，可用于集成电路中的等离子刻蚀，在RF（射频）下能解离出高活性的氟离子，主要用于反应器内表面硅、硅化合物的刻蚀。六氟乙烷作为干刻蚀剂具有边缘侧向侵蚀现象极微、高刻蚀率及高精确性的优点，可以极好地满足此类线宽较小的制程的要求。六氟乙烷也可作为清洗剂，主要用于半导体化学相沉积CVD腔体的清洗。在以传统硅甲烷（SiH4）为基础的各种CVD制程中，六氟乙烷作为清洗气体与硅烷相比更具优越性，主要表现在排放低、气体利用率高、清洗效率高和设备产出率高。
| 化学名称 | 1,1,1,2,2,2-六氟乙烷 |
| 别名 | 六氟化碳, 六氟乙烷，全氟乙烷,卤碳116, PFC-116, CFC-116, R-116, Arcton 116, Halon 2600, UN 2193 |
| CAS号 | 76-16-4 |
| ELINCS号 | 200-939-8 |
| 化学式 | C2F6 |
| 结构式 | C2F6 |
| 分子量 | 138.01 |
| ODP（CFC-11 = 1） | 0 |
| GWP100（CO2 = 1） | 12600 |
| 大气寿命（年） | 10000 |
| TWA（8-hr, mg/m³） | 2.5 |
| 化学名称 | 1,1,1,2,2,2-六氟乙烷 |
| 沸点（℃） | -78.2 |
| 熔点（℃） | -100.6 |
| 液体密度（-78.2 ℃,kg/m3） | 1608 |
| 蒸汽密度（空气=1） | 4.823 |
| 饱和蒸气压(psig) | 430.3 |
| 临界温度（℃） | 19.9 |
| 临界压力（bar） | 30.537 |
| 临界密度 （kg/m3） | 623.53 |
| 水中溶解度 | 不溶 |
| 闪点（℃） | 不适用（不可燃） |
| 可燃性（@21 ℃） | 不适用（不可燃） |
| 爆炸极限（%vol) | 不适用（不可燃） |
| 纯度 | 99.9% | 99.999% |
| 钢瓶规格 | 阀门 | 充装量 |
| 10 L | CGA 660 / DISS 716 | 10 kg |
| 44 L | CGA 660 / DISS 716 | 43 kg |
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